Компания IBM объявила об успешной разработке прототипа самого
компактного и быстрого в полупроводниковой индустрии чипа динамической
памяти с высочайшей плотностью заполнения. Он выполнен по
32-нанометровой технологии SOI (кремний на диэлектрической подложке).
Такой модуль, по заявлению производителя, обеспечивает высокую
скорость, надежность и, наоборот, невысокое энергопотребление и
подходит для широкого спектра устройств от серверов до потребительской
электроники. IBM SOI позволяет на 30% увеличить производительность чипа и на 40%
снизить его энергопотребление. Тестовый модуль eDRAM, созданный IBM,
обладает самой маленькой в индустрии ячейкой и обеспечивает лучшие
плотность, скорость и емкость, чем у обычной 32 и 22-нанометровой
памяти SRAM. Кроме того, у модулей памяти, выполненных по технологии
IBM SOI, очень небольшие задержки - менее 2 наносекунд, а в режиме
ожидания они потребляют в четыре раза меньше энергии по сравнению с
существующими решениями. IBM планирует продемонстрировать 32 и
22-нанометровую память eDRAM на International Electron Devices Meeting
в декабре.
| 
