Intel создает новые транзисторы для будущих экономичных чипов
На официальном веб-сайте Intel в колонке, посвященной инновационным
разработкам, появилось короткое сообщение. В нем говорится, что
недавние научные изыскания корпорации привели к созданию так называемых
Р-канальных транзисторов с высочайшей производительностью. Для этого
ученые Intel построили опытный образец Р-канального транзистора на
кремниевой подложке, использующей составные полупроводники, известные
также под названием III-V материалов.
По данным Intel, новые транзисторы побили предыдущий рекорд
производительности. Кроме того, они работают на половинном уровне
напряжения и потребляют всего одну десятую часть электроэнергии,
потребной для питания современных транзисторов. Поэтому данные
разработки вполне могут найти применение в будущих “холодных” и
экономичных процессорах. Остается надеяться, что практическая
реализация новой технологии не затянется надолго.
