Приветствую Вас Гость | RSS

WareNet.Ru - Новости Hardware, software...

Понедельник, 29 Ноября 2021, 22:57
Главная » Статьи » Hardware

Оперативная память Hynix на 4 Гбит поддерживается Intel Moorestown
Компания Hynix Semiconductor представила новую мобильную SDRAM-память DDR с плотностью 4 Гбит. Отличительной особенностью новой оперативной памяти является то, что она поддерживается будущей платформой Intel Moorestown, разработанной специально для использования в мобильных интернет-устройствах (MID).



Новые модули SDRAM-памяти Hynix с плотностью 4 Гбит имеют максимальную рабочую скорость 400 Мбит/с, что позволяет им обрабатывать до 1,6 Гб данных в секунду при использовании с 32-битным интерфейсом. Кроме того, новая память Hynix соответствует стандартам JEDEC и предназначена для использования в будущих мобильных устройствах, включая MID, нетбуки и смартфоны с повышенными требованиями к плотности и скорости работы DRAM. Еще одним преимуществом новой памяти должно стать ее низкое энергопотребление.

Hynix предлагает свои новые модули памяти на 4 Гбит в MCP и POP-упаковках, а массовое производство этих устройств планируется развернуть до конца третьего квартала.
Категория: Hardware | Добавил: ware (11 Августа 2009)
Просмотров: 604 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
avatar