Приветствую Вас Гость | RSS

WareNet.Ru - Новости Hardware, software...

Суббота, 24 Февраля 2024, 06:59
Главная » Статьи » Hardware

Samsung запускает производство 40 нм чипов памяти DDR3 DRAM на 2 Гбит
Подразделение Samsung Electronics, компания Samsung Semiconductor, объявила о начале массового производства первых в истории индустрии чипов памяти DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит, созданных по нормам 40 нм технологического процесса. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных до 1,6 Гбит/с, при этом их рабочее напряжение составляет 1,35 вольта.



Новые 40 нм чипы Samsung предназначены для применения в модулях памяти RDIMM с емкостью от 4 до 16 Гб для серверных систем, а также в UDIMM-модулях, используемых в рабочих станциях и настольных компьютерах. Кроме того, планируется применять их в модулях SODIMM емкостью до 4 Гб, предназначенных для работы в ноутбуках.

Кстати, по данным исследовательской фирмы iSuppli, чипы памяти DDR3 с плотностью 2 Гбит могут составить 82 процента общей памяти DDR3 DRAM в устройствах, которые будут проданы в 2012 году. Таким образом, новые 40 нм чипы Samsung должны найти свое место на рынке памяти.
Категория: Hardware | Добавил: ware (22 Июля 2009)
Просмотров: 718 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
ComForm">
avatar